SI4666DY-T1-GE3 دیتاشیت

SI4666DY-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4666DY-T1-GE3
حجم فایل 79.629 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SI4666DY-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI4666DY-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 25V
  • Continuous Drain Current (Id): 16.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V,10A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه